募集要項
- 仕事内容
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■同社にて下記業務を担当していただきます。
・メモリアーキテクチャ設計（SRAM、DRAM、MRAM、RRAM、PCRAM、および組み込みフラッシュメモリ［eFlash］）。
・読み出し（Read）および書き込み（Write）のクリティカルパス設計と解析。
・主要な構成ブロック（センスアンプなどのセンシング回路、アナログ回路、高電圧回路、DFT［テスト容易化設計］）の設計。
・チップレベルの設計検証。
・組み込み型不揮発性メモリ（eNVM）コンパイラの開発および製品化。
・プロダクトエンジニアや信頼性エンジニアと連携した、実シリコン（試作チップ）の特性評価および信頼性認定の実施。
- 応募資格
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- 必須
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以下全てを満たす方
・関連分野のバックグラウンドをお持ちの方
・SRAM分野におけるメモリのエキスパート
・ビットセルの特性（最小動作電圧［Vmin］、ビットセル性能、書き込みマージン）、センスアンプ設計、ハイ・シグマ（高ばらつき）解析、レースチェック（競合チェック）、マージン・サインオフに関する知識や経験。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 大阪府
- 勤務時間
- 09:00 - 18:00（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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500万円～1200万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与3回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当（上限10万円/月にて全額支給）
- 休日休暇
- （内訳）完全週休2日制（土日祝）、年末年始休暇、夏期休暇（有休3日間）、有給休暇（初年度(最大12日)， 2年目(13日)， 3年目(14日)， 4年目以降…+2日間（上限22日間） ）
