【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G（年収450万円～800万円）住友電工デバイス・イノベーション株式会社の転職・求人情報 44353457

募集要項

募集背景: 増員

仕事内容: 【入社時引越し費用全額負担／寮社宅完備／選考時交通費全額負担／WEB選考可／東証プライム上場住友電工グループ】
■グローバルマーケットで上位を争う事業を複数展開。インフラ市場に次世代ソリューシ…
【パソナキャリア経由での入社実績あり】【期待する役割】
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してご担当いただきます。

【業務内容】
■GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発
■MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化
■新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立
■量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化
■結晶品質の評価・解析

【配属部署】
電子デバイス事業部プロセス開発部

応募資格

必須: 以下いずれかのご経験をお持ちの方
■化合物半導体（GaN、GaAs等）のエピタキシャル結晶成長経験をお持ちの方
■MOCVD、MBE等による結晶成長技術のご経験をお持ちの方
■半導体業界での経験があり、結晶成長技術に関心をお持ちの方（再教育可能）

歓迎: ■GaN-HEMT向け結晶成長の開発経験
■高周波デバイスに関する知識
■量産展開・歩留まり改善のご経験
■結晶品質の評価・解析技術のご経験

フィットする人物像: 応募資格をご覧下さい

雇用形態: 正社員

勤務地: 神奈川県横浜市栄区金井町1番地

勤務時間: 08:30～17:15

年収・給与: 450万円～800万円

休日休暇: 週休二日（土日）ＧＷ連休、8月連休、年末年始連休等

会社概要

社名: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社

事業内容・会社の特長: ■事業概要:化合物半導体を使した電デバイス及び光デバイス並びにこれらの応製品の開発・製造・販売
■事業詳細:同社は、住友電気業株式会社と富通株式会社の折半出資会社のユーディナデバイス株式会社として、2004年4に設され、2009年4の住友電気業株式会社による完全会社化を経て、同社の光伝送デバイス事業を統合再編し、同年8発されました。化合物半導体を材料とするデバイス及びその応製品の開発・製造・販売をっています。具体的には、「光通信網にいられる光素などのデバイスや光トランシーバなどのモジュールに関わる事業」と「移動体通信、衛星通信、載レーダなどにいられるHEMTやMMICなどの無線通信デバイスに関わる事業」を展開しており、それぞれの事業において、グローバルマーケットで1、2位を争うシェアを占めています。
■特徴:化合物半導体には、ガリウム砒素、インジウムリン、窒化ガリウムなどの素材が使されており、シリコン等とべて、速動作・受発光機能・熱や放射線に強いなどの特性があり、容量かつ速の情報処理が可能です。消費電も少なく、型化も容易なため、情報通信関連分野は勿論、動関連やエレクトロニクスなど、より幅広い産業分野での利が進んでいます。

設立: 1976年

資本金: 15,000百万円

従業員数: 1077名

【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G（年収450万円～800万円） の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間7月28日～8月17日）

【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G（年収450万円～800万円）

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