募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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◇◆◇国内初のアナログ半導体ファウンドリー企業で、SiGe・Siphoデバイス開発職を募集いたします◇◆◇【期待する役割】
～～シリコンフォトニクスの国内初の量産化成功、AI、データセンター需要を見越し総額6…
世界的なAI需要の拡大やデータセンター市場の成長を背景に、当社ではシリコンフォトニクスやイメージセンサーなど高付加価値半導体への大型投資を進めています。富山工場では光半導体製品の300mmウェハ量産化を実現し、新潟県・新井工場では新棟の立ち上げを進めるなど、2029年に向けて生産体制を大きく拡充する成長フェーズにあります。RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
【職務内容】
■顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。
■プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化する。
■顧客やベンダーなどと技術のやり取りを通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。
■国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。
■英語による国外関係者との技術調整。
- 応募資格
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- 必須
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※下記いずれかのご経験※
■半導体デバイス・プロセスの開発経験、知識
■光学デバイス・プロセスの開発経験、知識
■半導体デバイスもしくは光学デバイスの特性評価経験
- 歓迎
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■英語の語学力
■半導体製造の知識、経験
■光学デバイス製造の知識、経験
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 富山県魚津市東山800番地【本社】
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 500万円～1000万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日）
