募集要項
- 募集背景
- 非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
- 仕事内容
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大手グループ半導体デバイスメーカーでの募集です。生成AIの急速な普及により、データセンタ内およびデータセンタ間における通信トラフィックは爆発的に増加しており、これを支える光通信デバイスにはさらなる高速化・高出力化・低消費電力化が求められています。特にEML（変調器集積レーザ）やCWレーザ、波長可変レーザなどの高性能化は、今後の通信インフラの高度化に不可欠な技術領域です。
電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
こうした背景のもと当社では、光半導体デバイスの設計力強化が重要課題となっており、次世代製品開発を担うエンジニアの増員を進めています。加えて、ポテンシャル層についても、育成を通じて設計力を高めていける環境を整備しています。
本ポジションでは、光ファイバ通信用光半導体デバイス（EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等）の設計開発をご担当いただきます。量子井戸構造や屈折率分布、共振器長といったデバイス構造の設計から、試作・評価を経て製品化まで一貫して携わっていただきます。
■主な業務
・光半導体デバイスの構造設計（量子井戸材料・層構造・共振器長・屈折率分布の最適化）
・シミュレーションおよび理論検討による特性設計（自作コード／市販ツール活用）
・試作品の特性評価および信頼性評価
・プロセス開発部門との連携による設計改善・歩留まり向上
・顧客要求仕様に基づく設計仕様の策定および調整
■業務の特徴
・デバイス設計から試作、評価、量産移管まで一貫して関与でき、自身の設計が製品として世に出るプロセスを実感できます。
・プロセス、エピ成長、モジュール開発など複数部門との連携が密で、デバイス全体を俯瞰した開発が可能です。
・材料・構造・光学・電気特性といった多様な要素を統合し、制約条件の中で最適解を導く高度な設計力が求められます。
■本ポジションの魅力
・事業の魅力
生成AIやクラウドサービスの拡大により、光通信デバイス市場は今後も高い成長が見込まれています。同社は光通信向けデバイスでグローバル競争力を有しており、技術開発の成果がそのまま事業成長に直結する環境です。通信インフラの根幹を支える製品に携わることで、社会的インパクトの大きい仕事に関わることができます。
・技術開発環境の魅力
エピタキシャル成長からプロ…
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】
下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方
・光半導体デバイスの作り手としての経験：半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器などの構造設計または開発経験
・光半導体デバイスの使い手としての経験：通信機器メーカー、通信モジュール／光トランシーバメーカー、光通信システムメーカー、光計測機器メーカー等のユーザーサイドで、光デバイスを組み込んだ製品の設計・開発・評価を担当された経験
・研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する材料・プロセス・構造・測定・物性いずれかの研究経験（ポスドク、修士・博士論文テーマを含む）
【歓迎要件】
下記いずれか満たす方は特に歓迎します
・EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等、高速光通信デバイスの設計経験
・量子井戸構造、電界吸収型変調器、DFBレーザの設計経験
・MOCVD等によるエピタキシャル結晶成長の知見
・光通信システム・光ネットワーク設計の経験
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
- 雇用形態
- 無期雇用
- ポジション・役割
- 担当
- 勤務地
- 神奈川県,山梨県
- 勤務時間
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【就業時間】08:30 ～ 17:15
【労働時間制等】フレックスタイム制
【コアタイム】11:00 ～ 14:00
- 年収・給与
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【年収】450万円 - 800万円
- 待遇・福利厚生
- 詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
- 休日休暇
- 詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
- キャリアパス・評価制度
- 【昇給】年1回 (4月)
