募集要項
- 募集背景
- 非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
- 仕事内容
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大手グループ半導体デバイスメーカーでの募集です。・GaN HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発（成膜、エッチング、フォトリソ等）
電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
・ユニットプロセスの加工条件開発・最適化
・複数プロセスのインテグレーション（製品別の技術統合）
・新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】
下記いずれかに該当する方
・化合物半導体（GaN、GaAs等）のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
・シリコン半導体、LED、SiC等のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
・半導体製造装置メーカーでのプロセス技術開発経験をお持ちの方
【歓迎要件】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
・GaN HEMTの開発経験
・高周波デバイスに関する知識
・プロセスインテグレーションのご経験
・量産立ち上げ・歩留まり改善のご経験
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
- 雇用形態
- 無期雇用
- ポジション・役割
- 担当
- 勤務地
- 山梨県
- 勤務時間
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【就業時間】08:30 ～ 17:15
【労働時間制等】フレックスタイム制
【コアタイム】11:00 ～ 14:00
- 年収・給与
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【年収】450万円 - 800万円
- 待遇・福利厚生
- 詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
- 休日休暇
- 詳細は求人ご紹介時にご案内いたします。
- キャリアパス・評価制度
- 【昇給】年1回 (4月)
