募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【期待する役割】
次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
当社は高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指しています。
本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。
【業務内容】
■プロセス開発・条件最適化
GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出すダイナミックな業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。
■評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。
専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。
■化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
MOCVD等による薄膜形成の経験も大いに活かせる環境です。
【募集背景】
当社が手掛ける「窒化ガリウム（GaN）基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV（電気自動車）やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。
【魅力】
・世界を変える技術の最前線に立つ
GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で爆発的な普及が見込まれています。省エネ・小型化という社会課題を解決するキーデバイスの根幹を、技術で支えることができま…
- 応募資格
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- 必須
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■理工系（物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学 等）バックグラウンド
■半導体・電子部品・化学・材料いずれかの業界における製造ないしは開発・生産技術の実務経験
■また下記いずれかの実務経験
・半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）のフォトリソグラフィプロセスの経験
・金属膜、酸化膜等の成膜技術（プラズマCVDやスパッタ等）
・GaNに関する経験
- 歓迎
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●化合物半導体（GaN、SiC等）のデバイス・基板の開発／量産に携わった経験
●化合物半導体の結晶成長技術（MOCVD等）の経験
●化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーションの経験
●将来的にチームを牽引するリーダー／マネジメントを志向される方
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 茨城県
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 700万円～1290万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） 土日、国民の祝日、年末年始、年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇 等
