募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【期待する役割】
次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。中長期的な視点に立ち、特に次世代製品（大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板 等）の新製品開発に重きを置いた、挑戦的かつ自由度の高い開発業務をお任せします。
【業務内容】
GaNの結晶成長技術の開発業務を中心に、ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
本ポジションは中長期の技術開発・新製品創出を担う"攻めの研究開発"を行うポジションです。
■新製品の結晶成長技術開発
⇒大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる開発業務を行います。
■既存製品の歩留り改善や、品質安定化
⇒結晶成長起因の歩留り低下や品質不良に関する不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図ります。
【募集背景】
GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集
【配属組織・働く環境】
・半導体前工程グループにて、結晶成長・ウエハ加工等の開発メンバーと協働いただきます。30～40代を中心とした比較的若く、風通しの良い活気あるチームです。
・経験者の方は即戦力として、関連分野出身の若手の方も先輩のサポートのもと着実に成長いただける、挑戦を歓迎する風土です。
【魅力】
脱炭素・省エネ社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN（窒化ガリウム）」。
本ポジションでは、その心臓部となる高品質GaN基板の"結晶成長技術"の開発を、最前線でリードしていただきます。
「より大口径に」「より高品質に」「より低コストに」――まだ世界の誰も到達していない領域に挑み、自らの技術が製品となり社会を動かしていく手応えを味わえる、研究開発職ならではのやりがいに満ちたポジションです。
【仕事の面白さ・成長機会】
・結晶成長は「材料の根幹」を司る奥深い技術領域。装置・プロセス・解析・品質まで幅広い知見が身につき、化合物半導体のスペシャリストとして市場価値の高いキャリアを築けます。
・基礎検討から量産化まで開発の全工程に関与でき、自らのア…
- 応募資格
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- 必須
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■化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験
- 歓迎
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●物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学（特に化合物半導体の結晶成長を専攻していた方）
●GaN（窒化ガリウム）の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験
●英語力を有する方
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 茨城県
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 700万円～1400万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） 土日、国民の祝日、年末年始、年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇 等
