募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
-
・MOCVDによるInP系化合物半導体エピ層の成膜・評価・改善業務
・結晶品質評価（XRD、PL、AFM、SEM、TEM等）に基づく工程最適化
・成膜条件（温度・圧力・V/III比・キャリアガス流量等）の制御と再現性確保
・歩留まり改善／成長不具合解析（層厚ムラ・組成偏差・欠陥発生メカニズム解明）
・結晶成長工程における新装置導入・能力改善プロジェクトの推進
・光デバイス設計／プロセス統括部門との連携による新製品向けエピ構造設計支援
- 応募資格
-
- 必須
-
・化合物半導体（InP系、GaAs系等）を用いた結晶成長（Epitaxy）または関連工程経験
・結晶評価手法（XRD／PL／SEM／AFMなど）の実務理解
・工程改善・歩留まり改善・異常解析などの生産技術経験（2年以上／修士卒1年以上）
・設備メーカー／装置技術者との技術折衝スキル
・英語での資料作成・メールコミュニケーション対応力（PPT／会議含む）
- 歓迎
- 応募資格をご覧下さい
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
- 09:00～17:30
- 年収・給与
- 800万円～1300万円
- 休日休暇
-
完全週休二日（土日） 年間有給休暇22日～24日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
年末年始休暇（8日）／GW（9日）／夏季休暇（9日）
家族看護休暇、リフレッシュ休暇、育児・介護休暇等有
