募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【期待役割】
同社が元々得意としている「（３）-（５）族化合物半導体（光るチップ）」と、次世代の超高速・省電力技術である「シリコンフォトニクス（シリコン基板上に光回路を作る技術）」を組み合わせることです。
これらを1つのチップに合体させる（異種材料集積）ことで、今までにない高性能な「新しい光通信・光センシングデバイス」を開発することがミッションです。
【職務内容】
業務の範囲は技術開発だけにとどまらず、ビジネスの立ち上げから製造体制の構築まで非常に多岐にわたります。
■構想設計と市場選定
・どんなデバイスを作り、どこの市場（通信市場か、あるいは自動運転のLiDARや医療などのセンシング市場か）を狙うかの戦略を立てる。
■光集積回路（PIC）の設計
・技術のコアとなる光回路の設計を主導する。
■ファウンドリの選定・交渉
・自社工場だけでなく、外部の半導体製造受託企業（ファウンドリ）と製造に関する交渉や連携を行う。
【やりがい・魅力】
大手の系列でない独立系の半導体デバイスサプライヤとして世界中から引合があります。
またアンリツの計測器事業のみならず世界の計測器メーカ向けに少量ながら高性能・特殊仕様のデバイスを供給するなど独自のビジネスモデルも有しています。
光通信・光センシングのニッチな市場を小回りの利く体制でユーザニーズに応え、世界に存在感を示す醍醐味があります。
【キャリアパス】
最初は新規プロジェクトの立ち上げリーダー（プレイングマネージャー的な動き）からスタートし、組織の拡大に伴って、将来的には部門のマネジメントポジション（管理職・幹部候補）へステップアップすることが期待されている非常に重要なポストです。
【募集背景】
センシング＆デバイス事業は、グローバルに展開する通信分野の光デバイスを事業基盤に、光センシング分野の眼科検査機器向け、インフラ維持管理向けやLiDAR向けなど、各種用途に最適な光源デバイスで事業開拓を進めています。
コアコンピタンスはInP、GaAsの化合物半導体による近赤外発光デバイス技術ですが、これを基盤にデータセンター等で今後重要となるCPOや、小型光センサデバイス等の市場に向け、シリコンフォ…
- 応募資格
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- 必須
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・光デバイス（半導体レーザ、光導波路等）の設計・開発経験（5年以上）
・シリコンフォトニクスまたはIII-V系デバイスに関する基礎知識
・外部パートナー（顧客／ファウンドリ等）との技術折衝経験
・TOEIC600点以上またはビジネスレベルの英語力
- 歓迎
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・III-V/Si異種材料集積の設計・評価経験
・ファウンドリ活用経験（PDK、MPW等）
・光通信デバイス（トランシーバ、CPO等）の知識、経験
・光センシング技術に関する知識、経験
・プロジェクトマネジメント経験
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
- 08:30～17:00
- 年収・給与
- 580万円～800万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） 祝日 慶弔休暇 年間3回大型連休（春・夏・年末年始） 年次有給休暇初年度18日（入社日による）・次年度以降21日 育児休職制度 介護休職制度ほか
