募集要項
- 仕事内容
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半導体製造装置用SiCヒーター開発のためのCAE解析業務◇半導体製造装置用SiCヒーター開発のためのCAE解析業務
・CAEを使った熱解析、流体解析による半導体製造装置用SiCヒーターの開発業務。
・顧客ニーズに基づく開発ヒーターの熱解析と顧客への提案。
・試作の作製及び評価。
・新規開発ヒーターの立ち上げに伴う顧客とのプロジェクト推進。
【この仕事の面白さ・魅力】
先端半導体の製造装置開発に携わることができます。プロジェクトの初期段階から商品化まで一貫して関与でき、新しい商品の開発に挑戦できる環境です。高純度SiCという先端素材を使用し、高精度の商品設計を行うことで、技術者としてスキルを大きく向上させることが可能です。
（変更の範囲）当社業務全般
- 応募資格
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- 必須
- ・CAE解析業務の実務経験をお持ちの方（目安としては3年以上の実務経験）
- 雇用形態
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正社員
試用期間最長6ヶ月（同一条件）
- 勤務地
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岐阜県土岐市
（変更の範囲）本社および全国の支社、営業所
- 勤務時間
- 8:15-17:15（休憩1時間）
- 年収・給与
- 年収：660万円～1360万円
- 待遇・福利厚生
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健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険
敷地内全面禁煙（屋外または屋内喫煙可能場所あり）
- 休日休暇
- 年間休日 125日 週休二日制 （土・日）、祝日、夏季休暇 、年末年始休暇 、年次有給休暇 、特別休暇 ※当社カレンダーあり
