募集要項
- 募集背景
- 同社が注力する次世代パワー半導体「GaN」基板事業において、さらなる事業拡大および次世代製品の開発体制を強化するため、新たなメンバーを募集します。
- 仕事内容
-
半導体前工程グループに配属となり、次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。
中長期的な視点に立ち、大口径基板や低欠陥密度基板、低抵抗品基板などの新製品開発において、自由度の高い挑戦的な開発業務をお任せします。
これまでの経験を活かし、次世代製品の創出を担う中核メンバーとしての活躍が期待されるポジションです。
【主な業務内容】
・大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板における新製品の結晶成長技術開発
・結晶成長に起因する不良の原因解析からプロセス改善まで、一気通貫での既存製品の歩留まり向上・品質安定化業務
・加工、デバイス部門や生産現場をはじめとする社内各部門と連携した技術開発の推進
▼新製品開発の詳細
次世代パワー半導体「GaN」の市場価値を高めるため、さらなる「大口径化」「高品質化」「低コスト化」を目指します。
基礎検討から量産化プロセスへの移行までの一連の工程に関与し、世界の誰も到達していない新たな領域へ挑戦します。
【ポジションの魅力】
▼最先端技術で社会のインフラを支えるやりがい
脱炭素や省エネルギー社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN」の開発を最前線でリードできます。
自らの手で創り出した技術が製品化され、世界を動かしていく手応えを感じられます。
▼技術者としての高い市場価値と成長機会
結晶成長という材料の根幹を司る技術領域において、装置、プロセス、解析、品質まで幅広い知見を習得できます。
基礎検討から量産化までの全工程に関与することで、化合物半導体のスペシャリストとして専門性を磨くことができます。
【将来的に従事する可能性のある仕事内容】
同社業務全般
【所属部署情報】
配属先となる半導体前工程グループは、多様な経験を持つメンバーが協力して業務を進める組織です。
・年齢構成：特定の年代に偏らず、幅広いキャリアを持つメンバーがそれぞれの専門性を活かして活躍しています。
・男女比・組織風土：多様性を尊重する風土があり、性別に関わらず誰もが対等に意見を交わせる環境が整備されています。
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須要件】
・化合物半導体の結晶成長技術開発、または結晶成長・薄膜成長に関する技術開発の実務経験をお持ちの方。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
-
■関東事業所 筑波地区
勤務地住所：茨城県牛久市東猯穴町1000
アクセス：JR常磐線「ひたち野うしく駅」より車で9分
＜リモートワーク＞
一部リモートOK（出社要）
週1～1日
月2~3回
＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
本社および全ての支社、営業所
三菱ケミカルグループ株式会社のグループ各社への在籍出向あり
＜受動喫煙防止策＞
敷地内全面禁煙
- 勤務時間
-
固定労働時間制 所定勤務時間：08:30～17:15
実働時間：7時間45分
休憩時間：1時間
月平均残業時間：30時間～40時間
- 年収・給与
-
年収：750～1400 万円
月給制
基本給：436000円
残業代：全額支給
※等級・グレードによっては、管理監督者となるため残業代の支給はありません。
通勤手当：あり 実費支給(上限なし)
賞与：あり 年1回（6月）
昇給：あり 年1回
- 待遇・福利厚生
-
退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険、定年65歳
社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度（※管理職のみ）、勤務地希望制度 等
- 休日休暇
-
【年間休日】123日
【休日内訳】 完全週休2日制 土曜日,日曜日,祝日,夏季休暇,年末年始休暇,特別休暇,産前・産後休暇,育児休暇,介護休暇
- 選考プロセス
-
面接2回
※2回ともオンラインでの実施となります。（各回60分程度）
※選考フローは変動する可能性があります。
