募集要項
- 募集背景
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同社が手掛ける「窒化ガリウム（GaN）基板」は顧客から極めて高い評価を得ており、実用化フェーズに到達したため事業拡大を加速しています。
EV（電気自動車）やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。
この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、同社の技術的優位性をさらに盤石にするための増員募集を行います。
当工程の技術継承を担い、将来的にチームや組織を牽引いただける方を求めています。
- 仕事内容
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EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠な次世代パワー半導体「窒化ガリウム（GaN）」の量産化を推進するポジションです。
高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指し、製造の下地工程におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善や生産技術の確立を担っていただきます。
将来的には技術リーダーやマネジメント職として、チームを牽引いただくことを期待しています。
【主な業務内容】
・GaN基板の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程やドライエッチング工程の条件検討および最適化。
・自ら作成したサンプルの評価・解析、および解析結果の製造プロセスへの反映。
・化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、および国内外の社外委託先の検討と技術開発。
▼フォトリソグラフィ工程の詳細
サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。
マスクの形状、幅、高さ、材質はその後の結晶成長の品質に直結するため、条件検討と最適化がこの技術の核心となります。
【将来的に従事する可能性のある仕事内容】
同社業務全般
【所属部署情報】
配属先となる半導体前工程グループは、多様な経験を持つメンバーが協力して業務を進める組織です。
・年齢構成：特定の年代に偏らず、幅広いキャリアを持つメンバーがそれぞれの専門性を活かして活躍しています。
・男女比・組織風土：多様性を尊重する風土があり、性別に関わらず誰もが対等に意見を交わせる環境が整備されています。
- 応募資格
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- 必須
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【下記いずれか必須】
・半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）のフォトリソグラフィプロセスの経験
・ 金属膜、酸化膜等の成膜技術（プラズマCVDやスパッタ等）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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■関東事業所 筑波地区
勤務地住所：茨城県牛久市東猯穴町1000
アクセス：JR常磐線「ひたち野うしく駅」より車で9分
＜リモートワーク＞
一部リモートOK（出社要）
週1～1日
月2~3回
＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
本社および全ての支社、営業所
三菱ケミカルグループ株式会社のグループ各社への在籍出向あり
＜受動喫煙防止策＞
敷地内全面禁煙
- 勤務時間
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固定労働時間制 所定勤務時間：08:30～17:15
実働時間：7時間45分
休憩時間：1時間
月平均残業時間：30時間～40時間
- 年収・給与
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年収：750～1400 万円
月給制
基本給：436000円
残業代：全額支給
※等級・グレードによっては、管理監督者となるため残業代の支給はありません。
通勤手当：あり 実費支給(上限なし)
賞与：あり 年1回（6月）
昇給：あり 年1回
- 待遇・福利厚生
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退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険、定年65歳
社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度（※管理職のみ）、勤務地希望制度 等
- 休日休暇
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【年間休日】123日
【休日内訳】 完全週休2日制 土曜日,日曜日,祝日,夏季休暇,年末年始休暇,特別休暇,産前・産後休暇,育児休暇,介護休暇
- 選考プロセス
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面接2回
※2回ともオンラインでの実施となります。（各回60分程度）
※選考フローは変動する可能性があります。
