募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【入社時引越し費用全額負担／寮社宅完備／選考時交通費全額負担／WEB選考可／東証プライム上場住友電工グループ】【パソナキャリア経由での入社実績あり】【期待する役割】
■グローバルマーケットで上位を争う事業を複数展開。インフラ市場に次世代ソリューシ…
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してご担当いただきます。
【業務内容】
■GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発
■MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化
■新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立
■量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化
■結晶品質の評価・解析
【配属部署】
電子デバイス事業部プロセス開発部
- 応募資格
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- 必須
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以下いずれかのご経験をお持ちの方
■化合物半導体（GaN、GaAs等）のエピタキシャル結晶成長経験をお持ちの方
■MOCVD、MBE等による結晶成長技術のご経験をお持ちの方
■半導体業界での経験があり、結晶成長技術に関心をお持ちの方（再教育可能）
- 歓迎
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■GaN-HEMT向け結晶成長の開発経験
■高周波デバイスに関する知識
■量産展開・歩留まり改善のご経験
■結晶品質の評価・解析技術のご経験
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県横浜市栄区金井町1番地
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 450万円～800万円
- 休日休暇
- 週休二日（土日） ＧＷ連休、8月連休、年末年始連休等
