募集要項
- 仕事内容
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【ポジション概要】
携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。
国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。
【具体的な仕事内容】
■主な業務
・顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討（ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way／4-way等）
・高周波シミュレータ（ADS、MWO／AWR）による回路設計、電磁界解析
・試作品の高周波特性・信頼性評価（GHzオーダーRF測定）
・デバイス設計部門・パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決
・顧客との技術コミュニケーション（コンカレント・エンジニアリング）
■扱う技術領域
・RFパワーアンプ：ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化
・デバイス：GaN HEMT
・応用：ポスト5G基地局向け高出力増幅器
【期待する役割・ミッション】
■期待する役割
基地局向けRFパワーアンプまたは高周波回路設計で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。
【キャリアパス】
入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発に深く関わっていただきます。電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。
【組織構成】
電子デバイス事業部 電子デバイス開発部
顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、顧客向け製品開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。
【本ポジションの魅力】
■技術面
・2007年に世界で初めてGaN HEMTを量産製品化し、現在も
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
■基地局向けRFパワーアンプ(ドハティ増幅器等)の回路設計・開発経験
■高周波回路設計(GHz帯、マイクロ波、ミリ波)の実務経験
■MMIC、高周波モジュール設計の実務経験
■上記に類する高周波デバイス・回路開発のシニアスペシャリスト経験
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
■国内外の基地局ベンダー、通信機器メーカー、RFデバイスメーカー等でご活躍されてきた方
■UIターンで山梨勤務をご希望の方
■プレイングリーダーとして若手指導のご経験がある方
■英語または中国語での技術コミュニケーション能力
【求める人物像】
■物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
■電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
■腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山梨県
- 年収・給与
- 450～800万円
