募集要項
- 仕事内容
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【ポジション概要】
携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。
国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。
【具体的な仕事内容】
■主な業務
・顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討（ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way／4-way等）
・高周波シミュレータ（ADS、MWO／AWR）による回路設計、電磁界解析
・試作品の高周波特性・信頼性評価（GHzオーダーRF測定）
・デバイス設計部門・パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決
・顧客との技術コミュニケーション（コンカレント・エンジニアリング）
■扱う技術領域
・RFパワーアンプ：ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化
・デバイス：GaN HEMT
・応用：ポスト5G基地局向け高出力増幅器
【期待する役割・ミッション】
入社後、教育体系と現場OJTを通じて、GaN HEMT増幅器の回路設計、高周波シミュレーション、顧客折衝のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には顧客向けプロダクト開発を任せられるエンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。
【キャリアパス】
同社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。
入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。
適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。
【組織構成】
電子デバイス事業部 電子デバイス開発部
顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、顧客向け製品開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーション
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する方
■大学または大学院で電気工学／電子工学／応用物理／物理・物性等を専攻された方(社会人経験が同領域の開発以外であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象)
■高周波回路設計、RFアンプ、電磁界シミュレーション、GHz帯測定いずれかの実務経験をお持ちの方
■無線通信、高周波、アンテナ、RFシステム等に関する研究経験(修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
■高周波シミュレータ(ADS、MWO／AWR)の使用経験
■CAD等による回路図作成経験
■GHz帯のRF測定経験
■英語または中国語による技術コミュニケーション能力
【求める人物像】
■物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
■電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
■腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山梨県
- 年収・給与
- 450～800万円
