募集要項
- 仕事内容
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【ポジション概要】
携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。
高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。
【具体的な仕事内容】
■主な業務
・高周波パッケージの開発（材料選定、構造設計、熱設計、高周波特性維持）
・パッケージ製造装置の選定／導入／立ち上げ
・試作・製造立ち上げ、製造工程の問題に対する改善検討
・機構部品の信頼性試験、解析
・CAD等による作図
■扱う技術領域
・パッケージ材料：高熱伝導セラミック（AlN等）、銅タングステン、銅モリブデン等のメタル系放熱基板材料
・パッケージ構造：高周波特性を維持する構造設計、熱マネジメント、小型化設計
・製造プロセス：接合、封止、実装、信頼性評価
・応用：ポスト5G向けGaN HEMTパッケージ
【期待する役割・ミッション】
半導体パッケージ開発または類似領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。
【キャリアパス】
入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMT向け高周波パッケージの開発に深く関わっていただきます。
電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。
【組織構成】
電子デバイス事業部 電子デバイス開発部
高周波パッケージ開発、顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、高周波パッケージ開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。
【本ポジションの魅力】
■技術面
・GaN HEMTの進化に合わせ、高周波パッケージの材料・構造・製造技術が重要度を増している領域で、技術開発に関われます。
・世界で初めてGa
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
■半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装の設計・開発経験
■高周波パッケージまたは高出力トランジスタ用パッケージの開発経験
■パッケージ製造装置の選定／導入／立ち上げ経験
■熱設計、機構設計、信頼性試験の実務経験
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
■半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装の設計・開発経験
■高周波パッケージまたは高出力トランジスタ用パッケージの開発経験
■パッケージ製造装置の選定／導入／立ち上げ経験
■熱設計、機構設計、信頼性試験の実務経験
【求める人物像】
■物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
■電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
■腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山梨県
- 年収・給与
- 450～800万円
