募集要項
- 仕事内容
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【仕事内容】
【ポジション概要】
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスに関する、トランジスタのモデリング技術開発または高周波回路の設計開発を担うポジションです。顧客が回路設計に利用するシミュレーションモデルの作成・提供、およびモデルを用いた高周波回路技術の開発を通じて、同社デバイスの市場競争力を支えていただきます。
【具体的な仕事内容】
【主な業務】
■GaN-HEMTトランジスタのシミュレーションモデル開発
■顧客向けシミュレーションモデルの作成・提供
■高周波回路技術の開発
■GHz帯の高周波特性評価・解析
■数学を用いた計算・式作成・シミュレーション
【業務の特徴】
■モデリング・シミュレーションを担うチームに配属。顧客が製品を使いこなすための技術的な「翻訳者」の役割を担います。
■デバイス設計やプロセス開発との連携を通じて、デバイスの物理からシステム応用までの広い視野が得られます。
【期待する役割・ミッション】
トランジスタモデリングまたは高周波回路技術の開発における中核メンバーとしてご活躍いただくことを期待しています。応募者のスキル・経験に応じて柔軟に役割をご相談します。
【キャリアパス】
入社後、OJTを通じて同社固有の技術にキャッチアップいただき、数年後には担当領域の技術リーダーとしてご活躍いただけるよう成長を期待しています。
部門間異動の自由度が高く、ユニットプロセス → プロセスインテグレーション → エピ成長技術 → モデリングなど、ご志向に応じて幅広いキャリアパスが選択可能です。各要素技術のスペシャリストとして深めるキャリアと、リーダー・課長クラスとして全体を見る力を養うキャリアの両方が開かれています。
【組織構成】
電子デバイス事業部 プロセス開発部
GaN-HEMTのプロセス開発を担う部門です。プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、エピタキシャル結晶成長、モデリング・シミュレーション、素子設計・レイアウトといった要素技術機能が一つの部に集約されており、材料からトランジスタまで垂直統合された体制で機動的に技術開発を進めています。
部門間の垣根を越えた会話がしやすく、隣の技術領域で
- 応募資格
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- 必須
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【必須条件（MUST)】
下記いずれかに該当する方
■半導体トランジスタのモデリング経験をお持ちの方
■高周波回路技術の開発経験をお持ちの方
【歓迎条件（WANT)】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
■GaN-HEMTのモデリング経験
■GHz帯の高周波特性評価のご経験
■数学的バックグラウンド（計算・式作成・シミュレーション）
■顧客向けシミュレーションモデル作成のご経験
【求める人物像】
■化合物半導体の技術開発に興味を持ち、5G/6G時代の通信インフラを支える仕事にやりがいを感じられる方
■上流から下流まで全体を見渡しながら開発に取り組みたい方
■チームで協力しながら粘り強く課題解決に取り組める方
■腰を据えて長期的にキャリアを築きたい方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 450～800万円
