募集要項
- 仕事内容
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■高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開に従事いただきます。
【具体的には】
・高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
・高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
・生産技術開発及び生産への展開化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務。
【業務の魅力】
化合物半導体技術を用いた通信インフラ用デバイスで世界ナンバーワンになることへの挑戦及び研究、技術、製品開発、製造、顧客サポートを通じ次世代ソリューションを提供し続けることをミッションとする組織です。各々の持つ技術が持続発展的社会を実現することに、強いやりがいを感じることができます。
- 応募資格
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- 必須
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以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有者
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：11:00 - 14:00）
- 年収・給与
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550万円～800万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等
- 休日休暇
- 年間120日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能）、5日連続有給休暇、計画有休制度（年5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇：初年度は入社月による（2年目以降20日）
