募集要項
- 仕事内容
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近年の半導体デバイスは、微細化だけでなく構造の立体化や材料の多様化など複雑性が増しており、このようなデバイス進化に対応できる新しい検査計測技術やハードウェアの開発が急務となっています。今回は、電子微鏡をベースとした半導体デバイスの性能・特性検査に関する研究開発顕の業務をご担当いただきます。
・先端デバイスの開発、製造における課題の探索
・上記課題を解決する新技術の提案・開発した新技術に関する特許の創生
・提案した新技術の研究開発（計測手法開発、装置開発）
・学会発表やニュースリリースを通じた、新技術・新製品のPR
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
■走査型電子顕微鏡研究開発の経験
■TOEIC700点程度以上の英語力（読み書き・メール利用に支障がないレベル）
【歓迎】
■半導体デバイス開発の経験 ■電子顕微鏡、真空設備、レーザー光学系に関わる業務経験 ■電磁界シミュレーション、光学シミュレーションのスキル ■特許執筆の実務経験（目安：2件以上）■学術論文執筆および国際学会での発表経験（目安：主著2件以上）
※研究実績一覧表または職務経歴書にPublication Listを含めての提出をお願いします。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 東京都国分寺市
- 年収・給与
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想定年収780～1030万円
月給￥463,000～￥605,000 基本給￥463,000～￥605,000を含む/月
- 休日休暇
- 年間休日126日
- 選考プロセス
- 面接回数2回
