募集要項
- 仕事内容
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【職務定義/ミッション】
■特定の領域において、自らの判断・提案を提供しながら、担当業務を遂行する。
加えて一部の業務では所属部署内でも難易度の高い、もしくは所属組織への成果に大きな影響を与える業務を担当する。
■担当者として、部をまたいだ協働や調整に関与する。
■社外の顧客・関係者に対する折衝も、必要に応じて自ら対応する。
※ご経験に応じてお任せするミッションを変更させていただく可能性はございます。
【職務内容】
■半導体製造装置のプロセス開発・検証業務。新規開発・既存装置の改善、改良を行う際の仕様検討からプロセス条件設定までを担当。ハード・ソフト等のメンバーと一つのプロジェクトとして推進していきます。
■エッチング装置はシリコンウェーハ上にプラズマの原理を利用し、非常に微細な回路線幅を加工します。ウェーハに反応するプラズマを発生させるガスの種類や、装置内の電圧・温度などを数百通りの中から組合せ、調整。検証と評価を繰り返し、従来にない最適な組合せを顧客ニーズに合わせて開発するのがプロセス開発の役割です。先端技術開発～量産開発まで幅広い経験を積める環境です。また、プロセスエンジニアとしての専門知識と同時にハードやソフトウェアに対する広い知識も必要とされます。お客さまの拠点に直接出向くことも多く、コミュニケーション能力も求められる、製品開発の最前線といえる仕事です。
【キャリアパスについて】
■初期は、職務内容記載の業務を推進いただきますが、いずれは社内外のリソースをマネジメントしながら中長期的な計画達成の為のプロセス開発をお任せいたします。
※マネジメントではなく、エッチングプロセス開発のスペシャリストとして業務を推進するキャリアも志向性に合わせてご用意しております。
【組織】
配属先は、以下いずれかを想定しています。
■先端技術開発本部：最先端のコア技術開発
■製品開発本部：顧客ごとにチームを組み、コア技術を応用し顧客の仕様に合わせた製品開発
※プロセス全体として400名ほど在籍し、プロジェクトによって人数は異なりますが5名から10名ほどのチームで業務を行っていただきます。
【業務のやりがい・魅力】
■AIや5G、メタバースなどの影響で半導体の重要性は高まってきておりま
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】
■高密度プラズマを取り扱う以下いずれかの経験
・ICP（誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma ））方式
・ECR（電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance））方式
【歓迎要件】
■最先端の半導体製造装置のプロセス開発経験
■プロセスインテグレーションの知見
■折衝経験
■英語・中国語・韓国語を業務で使用した経験
【求める人物像】
■最先端の技術を創り、世の中に貢献したいという想いのある方
■失敗を恐れず挑戦し続ける方
■様々な関係者と信頼関係を構築し協働できる方
■様々な角度からアイデアを提案できる方
■物事を分かりやすく簡潔に、論理的に説明できる方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 宮城県
- 年収・給与
- 805～1900万円
