募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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国内最大、世界でも有数の自動車用システムサプライヤーであるデンソー。数多くの世界トップシェア製品を有すグローバル企業です。【パソナキャリア経由での入社実績あり】こんな仲間を探しています！
車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。
【業務内容】
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・ウェハガス成長法の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
【業務のやりがい・身につくスキル、技術優位性、製品の強み・魅力】
・SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てます。
・中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能です。
・大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができます。
【募集背景】
ミライズテクノロジーズでは、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できるやりがいの持てる職場で一緒に汗を流してみませんか？
【職場情報】
パワエレ第2研究開発部は、xEV用インバータや電源関連製品に使われるパワー半導体の材料、デバイス、実装、回路、制御など幅広い技術を研究対象としています。この分野はワールドワイドで競争が激化していますが、ミライズの垂直統合型の研究を活かして他社と差別化した競争力のあるパワエレ技術の創出を目指しています。その中でパワー半導体材料、デバイス研究においては、SiCの結晶成長技術でミライズが唯一成功しているガス成長法の研究開発や、GaN…
- 応募資格
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- 必須
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■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
- 歓迎
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■第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
■エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）
■ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県日進市株式会社ミライズテクノロジーズ
- 勤務時間
- 08:40～17:40
- 年収・給与
- 550万円～1500万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） GW・夏季・年末年始各10日程度・その他年次有給休暇・特別休暇など
