募集要項
- 仕事内容
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化合物半導体（SiC／GaN）を用いたパワーデバイスの設計・開発を担っていただきます。
デバイス構造の検討からシミュレーション、試作評価、量産移管まで、開発プロセス全体に携われるポジションです。
＜具体的な業務内容＞
・SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET、SBD 等）の構造設計およびデバイスシミュレーション
・TCADを用いた特性解析・パフォーマンス最適化
・試作品の作製および電気的・熱的特性評価
・顧客要求や用途条件の整理・分析、製品仕様の検討
・量産立ち上げに向けたプロセス部門・外部パートナーとの技術連携、最適化検討
※ご経験やご志向に応じて、将来的には開発工程内の他領域へ業務範囲を広げていただくことも可能です。
■入社後のキャリア
設計・評価・プロセス連携など、パワーデバイス開発における複数フェーズを経験しながら、
専門性を深めるキャリア、または開発全体を俯瞰できるエンジニアとしての成長を目指せる環境です。
ご本人の志向に応じて、担当領域の変更・拡張にも柔軟に対応します。
■身に付くスキル
SiC／GaNパワーデバイスの構造設計・デバイスシミュレーション技術
TCADを用いた特性解析および最適化スキル
試作から評価（電気的／熱的）までの実践的なデバイス開発経験
顧客要求を踏まえた製品仕様設計・技術要件定義力
量産移管におけるプロセス部門・外部ファウンドリーとの技術折衝力
■本ポジションの魅力・やりがい
成長フェーズにある企業において、次世代パワーデバイスを主軸とした開発に主体的に携われる点が大きな魅力です。
設計者として「物理・特性・仕様」に真正面から向き合いながら、裁量を持って技術検討を進めることができます。
◎特定の工場に縛られないファブレス開発体制により、最適な技術選択が可能
◎SiC／GaNデバイス開発を事業の中核として位置付け、腰を据えて取り組める環境
◎パワー半導体業界で豊富な経験を持つエンジニアが多数在籍し、密度の高い技術議論ができる
◎海外拠点やファウンドリーとの連携を通じ、グローバルな開発経験が積める
刺激を受けながら新しい技術に挑戦でき、エンジニアとしての市場価値を高めていけるポジションで
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】
◎SiC、GaN、またはシリコンパワーデバイスの開発経験（3年以上）
◎TCAD（Synopsys， Silvaco等）経験者
◎半導体デバイス物性・電気特性の知識
＜以下スキルお持ちの方は歓迎いたします＞
・車載・産業用途の高信頼性設計経験
・英語/中国語でのコミュニケーション/技術文書作成スキル
★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
★国内外各地からメンバーが集まっております！
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都府
- 年収・給与
- 700～1000万円
