募集要項
- 募集背景
- 非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
- 仕事内容
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株式会社デンソーでの募集です。車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。
電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
■業務内容
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN HEMTのデバイス開発
・縦型GaN MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
※株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズ（https://www.mirise techs.com/）に出向いただきます。
【業務のやりがい・身につくスキル】
・SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てます。
・中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能です。
・大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができます。
【職場情報】
パワエレ第2研究開発部は、xEV用インバータや電源関連製品に使われるパワー半導体の材料、デバイス、実装、回路、制御など幅広い技術を研究対象としています。この分野はワールドワイドで競争が激化していますが、ミライズの垂直統合型の研究を活かして他社と差別化した競争力のあるパワエレ技術の創出を目指しています。その中でパワー半導体材料、デバイス研究においては、SiCの結晶成長技術でミライズが唯一成功しているガス成長法の研究開発や、GaN、酸化ガリウム及びダイヤモンドなどの新規ワイドバンドギャップ半導体のR Dを行っています。国内の大学や新材料のトップランナーと連携しながら、最先端の技術をいち早く社会実装することを目指します。部のスローガン「Humor Enhances Creativity」に従い、楽しんで研究開発を行っていくカルチャーがあります。
◎キャリア入社比率： 約40%
半導体材料メーカ、家電メーカ、メモリ半導体メーカ、半導体装置メーカ、大…
- 応募資格
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- 必須
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＜MUST要件＞
・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
＜WANT要件＞
・第一原理計算、T CADシミュレーション経験
・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）
・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
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【就業時間】08:40 ～ 17:40
【労働時間制等】通常の労働時間制
- 年収・給与
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【年収】500万円 - 1500万円
- 待遇・福利厚生
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【通勤手当】一部支給 規定に準じて支給有り
【社会保険】健康保険
厚生年金
雇用保険
労災保険
- 休日休暇
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【有給休暇】有給休暇は入社時から付与されます
入社7ヶ月目には最低10日以上
【休日】完全週休二日制
有給休暇：初年度は入社月により1～10日付与（入社半年後には10日以上付与）
その他 やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など
