募集要項
- 募集背景
- GaN基板需要増に伴う業務拡大および事業加速のための増員募集です。
- 仕事内容
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化合物半導体の製造プロセスの開発を担当いただきます。
■業務内容
・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計
・化合物半導体の結晶成長プロセスのモデリング技術開発、最適化
・化合物半導体の評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
・化合物半導体のエピ成長技術の開発、国内外の社外委託先検討および技術開発
※頻繁ではありませんが、国内出張があります。
■働きがい
・高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造および技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。
・同社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。
基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。
【将来的に従事する可能性のある仕事内容】
同社業務全般
【所属部署情報】
製造プロセス開発担当として配属を予定しています。
組織構成：21名（MCC男性19名＋派遣社員男性2名）
平均年齢：約50歳
- 応募資格
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- 必須
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以下いずれかのご経験をお持ちの方
・化合物半導体材料等の結晶成長技術の開発経験
・化合物半導体材料（GaN＞＞Si/サファイア/SiC他 脆性材料）の結晶成長技術検討または製造管理経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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■関東事業所 筑波地区
勤務地住所：茨城県牛久市東猯穴町1000
アクセス：JR常磐線「ひたち野うしく駅」より車で9分
■リモートワークについて
月2～3日程度可能
＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
本社および全ての支社、営業所
三菱ケミカルグループ株式会社のグループ各社への在籍出向あり
＜受動喫煙防止策＞
敷地内全面禁煙
- 勤務時間
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固定労働時間制 所定勤務時間：08:30～17:15
実働時間：7時間45分
休憩時間：1時間
月平均残業時間：39時間
- 年収・給与
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年収：581～968 万円
月給制
基本給：338000円～563000円
残業代：全額支給
※等級・グレードによっては、時間外管理監督外となるため残業代の支給はありません。
通勤手当：あり 実費支給(上限なし)
賞与：あり 年1回（6月）
昇給：あり 年1回（6月）
- 待遇・福利厚生
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退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険、定年65歳
社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度（※管理職のみ）、勤務地希望制度 等
- 休日休暇
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【年間休日】123日
【休日内訳】 完全週休2日制 土曜日,日曜日,祝日,夏季休暇,年末年始休暇,特別休暇,産前・産後休暇,育児休暇,介護休暇
- 選考プロセス
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面接2回
※2回ともオンラインでの実施となります。（各回60分程度）
※選考フローは変動する可能性があります。
