募集要項
- 募集背景
- GaN開発強化のための増員募集です。
- 仕事内容
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化合物半導体GANのウエハ加工技術の開発業務を担当いただきます。
ご経験やご希望などを踏まえて、以下に例示する担当業務をご提案します。
■業務内容例
・要素プロセスの開発・条件最適化
研磨・スライシング・CMP（化学的機械的研磨）工程などにおけるGaN特有の最適条件を確立します。
・新規プロセスフローの構築
デバイス設計部門と連携し、要求される特性や信頼性を満たすための新しい加工プロセスを設計します。
・歩留まり向上・不良解析
試作段階や量産立ち上げ時における欠陥や特性ばらつきの発生メカニズムを解明し、プロセス改善による歩留まり向上を図ります。
・量産化技術の確立（スケールアップ）
大口径ウエハ（例：6インチから8インチへの移行）に伴い量産ラインへの安定的な移管に向けた技術開発を行います。
・新規装置の導入・評価
装置メーカーと協業し、次世代デバイス製造に向けた最新の加工装置のスペック策定、デモ評価、導入決定および立ち上げを行います。
※頻繁ではありませんが、国内出張があります。
■配属部署の紹介
プロジェクターやレーザーテレビに使われるレーザーダイオードに欠かせない材料である窒化ガリウム基板は、サーバーの電源やEV用のパワーデバイス、高速モバイル通信用の高周波デバイスなどに活用の場を広げつつあります。
GaN結晶成長技術等の基礎的な検討から、基板製造の量産技術検討まで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。
■働きがい
「GaN」基板の安定供給体制を構築するとともに、近年需要が増加するパワーデバイス用途に適用可能な6～8インチ基板の開発にも取り組んでいます。
レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。
未来の社会を支える材料として重要な位置づけを持つ高品質な「GaN」基板の供給を通じ、燃費・発電効率向上といったエネルギーミニマム社会への貢献に携わることができます。
【将来的に従事する可能性のある仕事内容】
同社業務全般
【所属部署情報】
加工技術開発担当として配属を予定しています。
組織構成：社員18名（男性17名、女性1名）
平均年齢：44歳
- 応募資格
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- 必須
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以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体を対象とした加工技術の検討経験
・半導体基板加工装置メーカーでの開発経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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■関東事業所 筑波地区
勤務地住所：茨城県牛久市東猯穴町1000
アクセス：JR常磐線「ひたち野うしく駅」より車で9分
＜リモートワーク＞
一部リモートOK（出社要）
週1～1日
※必要に応じて可能
＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
本社および全ての支社、営業所
三菱ケミカルグループ株式会社のグループ各社への在籍出向あり
＜受動喫煙防止策＞
敷地内全面禁煙
- 勤務時間
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フレックスタイム制 1日の標準労働時間：7時間45分
休憩時間：1時間
月平均残業時間：20時間～30時間
※8:30～17:15の時間帯で勤務する方が多いです。
- 年収・給与
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年収：823～1315 万円
月給制
基本給：479000円～765000円
残業代：全額支給
※等級・グレードによっては、時間外管理監督外となるため残業代の支給はありません。
通勤手当：あり 実費支給(上限なし)
賞与：あり 年1回（6月）
昇給：あり 年1回（6月）
- 待遇・福利厚生
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退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険、定年65歳
社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度（※管理職のみ）、勤務地希望制度 等
- 休日休暇
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【年間休日】123日
【休日内訳】 完全週休2日制 土曜日,日曜日,祝日,夏季休暇,年末年始休暇,特別休暇,産前・産後休暇,育児休暇,介護休暇
- 選考プロセス
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面接2回
※2回ともオンラインでの実施となります。（各回60分程度）
※選考フローは変動する可能性があります。
