パワーMOSFETデバイス開発エンジニア(Senior Staff Device Engineer)

ルネサス　エレクトロニクス株式会社

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募集要項

仕事内容: 電源(PCP製品)に組み込まれるスイッチング電源用パワーMOSFETの設計を行っている部署にて、12V～80V用途向けの最先端スイッチング電源用パワーMOSFETの開発を担当いただきます。
デバイスアーキテクチャの構想から最終製品の特性評価まで、製品ライフサイクル全体に深く関与するポジションです。下記業務例
■高性能・高信頼性のパワースイッチングデバイス技術の新規開発 ■プロセスエンジニアと連携した新規プロセスフローおよび設計ルールの策定
■TCADシミュレーションを用いた設計・プロセス条件の検討および最適化
■歩留まりに影響する重要設計パラメータ・プロセス感度の特定　など

応募資格

必須: 【必須】高耐圧Power MOSFETを、物理から製品化・信頼性まで一気通貫で対応した経験および、初級以上の英語力
■採用背景：直近退職者が発生している中で、新規の中耐圧FET（MV FET）である REXFET2 / REXFET3 の開発支援も新たに加わわったための欠員補充兼組織体制強化の為の採用です。SPS FETはPCP事業において極めて重要な製品であり、今後2年間で販売数量が約3倍に拡大する見込みです。
この急成長フェーズにおいて、技術的・事業的に中核となるシニアクラスのデバイス設計エンジニアを募集しています。

事業内容・会社の特長: 〓〓〓〓世界中の“動くもの”に、ルネサスの知恵が宿る〓〓〓〓
今、世の中にある**「動くもの」や「つながるもの」**の多くに、目に見えない“頭脳”が宿っています。その“頭脳”を支えているのが、当社。当社の特徴・強みは、「マイコン × アナログ × パワー × SoC」この半導体のすべての要素を組み合わせて、完成されたソリューションを創り上げることができることができる事。数少ない**“フルライン半導体メーカー”**です。そのため、「クルマの自動運転」、「工場のスマート化」、「家庭のIoT化」もその「すべて」に、ルネサスが関われます。世界30か国以上、2万人超の多様なプロフェッショナルたちとともに、**「社会全体を組み込みで進化させる」**ことを本気で目指しています。
〓〓〓〓単なるチップではなく、“未来の体験”を届ける〓〓〓〓
半導体を作っているようで、本当に創っているのは――人の暮らしをより良くする、未来の可能性。**汎用品では届かない「かゆいところに手が届く技術」**こそ、ルネサスの真骨頂。大量生産ではない、課題解決型のソリューション提案で、選ばれ続けています。

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株式会社インディードリクルートパートナーズ

厚生労働大臣許可番号：13-ユ-317880紹介事業許可年：2025年4月1日