募集要項
- 募集背景
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カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。
- 仕事内容
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パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術およびプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をお任せします。
■業務内容
※以下のいずれかの業務に携わっていただきます。
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発および製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発
・ウェハ製造に関わる設備設計および工程設計
・ウェハ製品／製造工程品質保証および管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化
■働きがい
・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます。
・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます。
・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます。
・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます。
・社内外の専門家との連携を通じて、ご自身の専門性を向上させることができます。
【将来的に従事する可能性のある仕事内容】
同社業務全般
【所属部署情報】
SiCプロジェクト室に配属予定です。
年齢層：20代～50代
◎24年4月に新たに発足した部署です。
◎開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。
◎慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。
その他組織詳細情報については選考の過程でお伝えします。
- 応募資格
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- 必須
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無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のいずれかの基礎知識を有し、かつ以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体ウェハの製品設計、評価経験
・無機材料プロセス開発、工程設計経験
・結晶成長技術開発、生産技術開発および設計の経験
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験
・半導体装置（結晶成長、加工、エピ）開発、設計経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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以下いずれかでの勤務となります。
■先端技術研究所
勤務地住所：愛知県日進市米野木町南山500-1
アクセス：名鉄豊田線「米野木駅」より徒歩12分
■大安製作所
勤務地住所：三重県いなべ市大安町門前1530
アクセス：三岐鉄道三岐線「大安駅」より徒歩15分
＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
本社および全ての支社、営業所
※将来的に、業務上の都合による転勤や駐在等の可能性があります。
＜受動喫煙防止策＞
屋内全面禁煙、屋外に喫煙所を設置
※本社・製作所以外の拠点は、屋内に喫煙可能室設置
- 勤務時間
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フレックスタイム制 1日の標準労働時間：8時間
休憩時間：1時間
コアタイム：あり 10:10～15:25
月平均残業時間：20時間～30時間
※8:40～17:40の時間帯で就業される方が多いです。
※製作所のコアタイムは10:10～15:25です。
- 年収・給与
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年収：650～1430 万円
月給制
基本給：300000円
残業代：全額支給
変動手当：家族手当 会社規定に応じて条件該当者に支給
住宅手当 会社規定に応じて条件該当者に支給
管理監督者での採用の場合は残業代支給対象外となります。
通勤手当：あり 実費支給(上限なし)
賞与：あり 年2回
昇給：あり 年1回
- 待遇・福利厚生
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■選択型福利厚生制度（デンソーカフェテリアプラン）
■制度：財形貯蓄、株式インセンティブ制度、団体保険、退職金・年金制度など
■施設：寮・社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設、託児施設（愛知・三重）、食堂（本社、各製作所）など
- 休日休暇
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【年間休日】121日
【休日内訳】 週休2日制 土曜日,日曜日,GW休暇,年末年始休暇,夏季休暇,産前・産後休暇,特別休暇,介護休暇,育児休暇
- 選考プロセス
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面接2回（適性検査あり）
※選考回数は変動する可能性があります。
