募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【入社時引越し費用全額負担／寮社宅完備／選考時交通費全額負担／WEB選考可／東証プライム上場住友電工グループ】【パソナキャリア経由での入社実績あり】【期待する役割】
■グローバルマーケットで上位を争う事業を複数展開。インフラ市場に次世代ソリューシ…
次世代通信インフラを支える高周波GaN HEMTデバイスの中核技術であるエピタキシャル結晶成長において、
研究開発から量産展開までを一貫して担っていただくポジションです。
単なる研究に留まらず、実用化・量産化を見据えた技術確立と生産現場への展開を通じて、
世界トップクラスの化合物半導体デバイス競争力の強化に貢献いただくことを期待しています。
【業務内容】
高周波GaN HEMT向けエピタキシャルウェハに関する技術開発および量産対応を担当していただきます。
■高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの構造設計
■GaN HEMT向けエピタキシャル成長技術の研究・開発
■成膜条件の最適化、特性評価、課題抽出および改善検討
■生産技術開発および量産ラインへの技術移管・展開
■新規プロセス装置の選定、導入、立ち上げ対応
■関係部門（デバイス・製造・品質等）との連携による量産安定化推進
※研究テーマを「成果」で終わらせず、量産技術として定着させる経験が積める環境です。
【配属部署】
電子デバイス事業部プロセス開発部
- 応募資格
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- 必須
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以下いずれかのご経験をお持ちの方
■半導体ウェハのエピタキシャル成長に関する研究・開発経験
■半導体プロセス装置の選定・導入・立ち上げ経験
■半導体プロセス技術（成膜、エッチング等）に関する実務経験
加えて、以下を満たす方
■英語による基礎的なコミュニケーション能力（TOEIC500点程度または同等レベル）
- 歓迎
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■高周波向け化合物半導体エピタキシャルウェハの知識・経験
■GaN HEMT用エピタキシャル成長技術の開発経験
■エピウェハの生産技術開発および量産ライン展開の経験
■研究成果を製品・事業に結びつけた経験をお持ちの方
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県横浜市栄区金井町1番地
- 勤務時間
- 08:30～17:15
- 年収・給与
- 450万円～800万円
- 休日休暇
- 週休二日（土日） ＧＷ連休、8月連休、年末年始連休等
