募集要項
- 仕事内容
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〈Principal / Senior / Engineer， E-characterization │プリンシパル / シニア / エンジニア、E-キャラクタリゼーション DRAM〉
【仕事内容（Responsibilities）】
■ 電気特性解析（E-characterization）
◆ Cell Tr / CMOS / diode / 抵抗素子など半導体デバイス物理の深い理解を基にした特性解析
◆ param、TEG（Test Element Group）、回路動作との相関解析
◆ DRAM特有の電気特性評価（電流特性、リーク、保持特性など）
■ テスト環境構築と最適化
◆ 世代ごとに異なるデバイステスト構造に対応した 測定環境の設計・構築
◆ 目的に応じた 計測条件（Test Condition）の最適化
◆ Fabラインの計測装置を活用したデバイス評価
■ 実験室（Lab）解析
◆ Lab装置を用いた深度データ取得・解析
（半導体アナライザ、ネットワークアナライザ、オシロスコープ等）
◆ デバイス開発課題に対する問題点の可視化
◆ フィードバックをDevice Integration / Process Developmentへ提供
■ 新テスト手法・構造の開発
◆ 次世代デバイス評価に必要な 新規Test Structureの提案
◆ データ取得・解析の自動化ツール開発（Python/C++など）
■ ビッグデータ解析・データサイエンス活用
◆ param / 装置条件 / デバイス特性など大量データの解析
◆ データサイエンス手法を用いた根本原因分析・歩留まり改善
■ クロスファンクション連携
◆ Device Integration / Process / Product Engineering / Failure Analysis / Design など
多部門と連携した共同開発
◆ 原因特定～改善アクションまでをリード
- 応募資格
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- 必須
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【応募要件（Must）】
◆ 電気電子工学 / 物理 / 材料工学関連の修士または博士、または同等経験
◆ 半導体業界での2年以上の実務経験
◆ CMOSアーキテクチャ・デバイス物理の基礎知識
◆ DRAMの電気特性に関する基本的理解
◆ 統計データ解析の知識
【歓迎要件（Want）】
◆ Python / C++ などのプログラミングスキル
◆ DRAMアーキテクチャ・回路動作の理解
◆ RF特性評価、RTN（Random Telegraph Noise）解析経験
◆ 半導体アナライザ、ネットワークアナライザ、高周波測定装置の使用経験
◆ Big Data解析スキル（統計解析、機械学習など）
◆ デバイス・回路の相関解析スキル
◆ Test structure 開発経験
◆ デバイスモデリングの知識（SPICEなど）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 広島県
- 年収・給与
- 500～1500万円
