募集要項
- 仕事内容
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(1)職務内容
高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
(2)具体的にお任せする業務
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
〇生産技術開発及び生産への展開
＜募集背景＞
電子デバイス事業の拡大及び顧客要求に迅速に対応すべく、人材強化を進めることを目的とする。電子デバイス用GaNエピタキシャル成長の実務経験者が望ましい。一方で、化合物半導体トランジスタの開発経験者でエピタキシャルウェハへの間接的な知見がある人材も募集したい。
- 応募資格
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- 必須
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(1)応募資格（専門知識/能力）
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有者
(2)語学力（英語）
・TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。
(3)以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します。
〇高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識をお持ちの方
〇GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験がある方
〇エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験のある方
(4)仕事の特徴・面白さ
化合物半導体技術を用いた通信インフラ用デバイスで世界ナンバーワンになることへの挑戦及び研究、技術、製品開発、製造、顧客サポートを通じ次世代ソリューションを提供し続けることを特徴とする。各々の持つ技術が持続発展的社会を実現することに、強いやりがいを感じることができる。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 400～600万円
