募集要項
- 仕事内容
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■RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。
【具体的には】
・顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。
・顧客やベンダーなど外部との技術議論を通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。
・国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。
・英語による国外関係者との技術調整。
- 応募資格
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- 必須
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※全て必須
・半導体デバイス・プロセスの開発経験、知識
・半導体デバイスの特性評価経験
・英語でのコミュニケーション能力
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 富山県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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500万円～1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、厚生年金、労災保険、雇用保険
【諸手当】
単身赴任手当（単身赴任者帰省旅費制度あり）
【待遇・福利厚生】
確定拠出年金制度、寮・社宅、住居費補助制度、食堂・売店完備、制服貸与
- 休日休暇
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年間休日日数：127日／（内訳）完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
年次有給休暇：20日／年間 ※入社初年度は入社月により按分付与 ※各種有給休暇制度多数
