募集要項
- 仕事内容
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■同社におけるエピタキシャル半導体製造装置開発の中で、プロセス開発（成膜）を担当いただきます。
【具体的には】
■同社社内の装置を利用し、顧客先メーカーに対して実際にウェハを用いたプロセス開発を担当いただきます。
・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価
・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応
・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援
※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います。
※海外出張：有 年に2～3回、出張期間は1カ月～3カ月
※業務で使用するツール：測定機操作（SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等）
【エピタキシャル成長装置】
自動車やパワーエレクトロニクス分野に欠かせないパワーデバイス（化合物半導体材料）の成膜を担う装置になります。
同社製品はガリウムナイトライドの成膜技術に強みを持ち、均一に精度を保つことができ生産性が高いのが特徴です。
【アピールポイント】
・電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局は、エピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信ができないため注目されています。
・またパワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして注目をされています。
・また非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーに対して、同社装置を納入できているため、最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができています。
- 応募資格
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- 必須
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※以下いずれも当てはまる方
■国内外への長期出張が可能な方
■半導体前工程のプロセスエンジニアとしてのご経験をお持ちの方
※業務未経験でも、学生時代に半導体の研究に従事されていた方も歓迎です。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
- 08:45 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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570万円～1100万円(経験能力考慮の上優遇)
モデル年収 50歳 1000万円
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険（東芝健康保険組合）、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、資格手当、時間外手当、福利厚生支援制度：教育・健康・懇親 etc.に対し年間最大35万円の補助あり
- 休日休暇
- 年間126日／（内訳）完全週休2日制（土・日）、祝日、夏期休暇、年末年始、有給休暇（初年度入社1～19日（入社月による）、最大24日、繰り越し含め最大48日）、慶弔休暇、特別休暇、リフレッシュ休暇：勤続10年、20年、30年に取得、育児・介護休業制度、配偶者出産休暇制度
