募集要項
- 仕事内容
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MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体のユニットプロセス技術経験者
・半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方
・半導体に関連する研究を専攻されていた方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 石川県
- 年収・給与
- 450~1200万円
