募集要項
- 募集背景
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部門強化のため
エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。
- 仕事内容
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●エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。
・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価
・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応
・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援
※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います
●エピタキシャル成長製造装置の特徴
(1)ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
(2)緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
(3)高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性
上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。
プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、
エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。
【業務で使用するツール】
・プロセス
測定機操作 (SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等）
【入社後お任せしたい業務】
・プロセス
上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、
デモ機をもとに装置の扱い方やレシピの開発・調整方法をキャッチアップいただきます。
【働き方】
・部署の平均残業時間：約20時間／月
・リモートワーク：有 （週に約1日在宅勤務）
・海外出張：有 年に2～3回、出張期間は1か月～3か月
職務内容変更の範囲：会社の定める業務
- 応募資格
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- 必須
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・国内外への長期出張が可能な方。
・エピ成膜に興味がある方。
- 歓迎
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・半導体の製造等において何らかの成膜経験がある方。
・半導体製造装置（CVD装置）を使用した成膜経験がある方。
・半導体製造装置（CVD装置）で使用されるガスや、真空装置の取り扱い経験がある方。
・英語でのコミュニケーションが可能な方。
- 雇用形態
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正社員
試用期間：6ヵ月（条件・待遇に変動なし）
- ポジション・役割
- 半導体成膜装置/成膜プロセス開発（SiC/GaN)
- 勤務地
- 神奈川県横浜市
- 勤務時間
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・8：45～17：30（休憩時間：60分、実働時間：7時間45分）
※フレックスタイム制（コアタイム無し）
・時間外労働：有（月平均25時間）
- 年収・給与
- 550万円 ～ 1699万円
- 待遇・福利厚生
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・定年：60歳、再雇用：65歳まで
・退職金制度（確定拠出年金）、企業年金
・財形制度
・グループ保険制度（生保、損保）
・借上げ社宅（適用条件有）
※独身借上社宅制度（35歳まで）、世帯向け借上社宅制度（最大12年間）
・住宅費補助
・「ヒト」への積極投資「NFT-HEC」制度
（健康づくり、自己啓発、職場コミュニケーション 年間最大30万円補助）
・選択型福祉制度「カフェポイント」（年間5万円分のポイント付与）
・団体長期障害所得補償保険（GLTD）
・保養所、健康診断、健康保健指導
・ステップアップ休暇
・育児・介護休業制度、配偶者出産休暇制度
・次世代育成手当
・教育研修制度 ほか
- 休日休暇
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・完全週休2日制（土・日）、祝日
・年末年始休暇、夏季休暇
・有給休暇（初年度入社1～19日（入社月による）、最大24日、繰り越し含め最大48日）
・慶弔休暇、特別休暇 等
・年間休日125日以上
