募集要項
- 仕事内容
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■業務内容
半導体の材料・構造分析を行う同社にて、分析エンジニア職として、電子顕微鏡（FIB）を使用した半導体や電子材料の解析業務や顧客との打ち合わせ、立ち合い観察などの業務をお任せいたします。
半導体を利用する大手国内企業などに、受託分析設備を貸出し、立ち合い観察をしながら分析を行います。
■職務の特徴
◎FIB（Focused Ion Beam：集束イオンビーム）はイオン源としてガリウム（Ga）を使用し、金属や酸化物のスパッタリング、成膜、エッチングによるリソグラフィーを行うことができます。
◎FIBに用いられる金属イオン源（Ga）の蒸気圧は6.98×10-38Torrと低く、超高真空を含む様々な真空環境で用いられています。FIBではこのイオン源に強力な電場を加えて溶融させ、その形状をテイラーコーン形状に変化させます。その頂点はGaイオンビームを放出するのに十分な鋭さとなります。エネルギー分散が4.5eV、輝度が106A/cm2srのビームは、10nm以下の領域に集光することができます。
◎FIBシステムは、液体イオン源、集光レンズ、走査レンズ、移動ステージ、ガス導入システム（GIS）、信号検出器から構成されています。金属や酸化物のイオンスパッタリング、成膜、エッチングによるリソグラフィーが可能であり、MEMSにも最適なツールです。
- 応募資格
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- 必須
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■必須条件：
・半導体分析のご経験をお持ちの方
・FIB使用経験1年以上（TEMサンプル製作業務）
■歓迎条件：
・中国語スキルがある方
・英語スキル初級以上
＜語学力＞
必要条件：英語初級
歓迎条件：中国語（北京語）初級
＜語学補足＞
■歓迎条件：英語スキル初級以上・中国語スキル
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 年収・給与
- 400～800万円
