募集要項
- 仕事内容
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電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaN-HEMT）のプロセス開発業務をご担当いただきます。
【具体的には】
・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発
・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築
・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発
【業務のやりがい・魅力】
・パワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。
・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。
【組織ミッション】
パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。
その中で、第１、第２開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi， SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。
年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。
- 応募資格
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- 必須
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以下、いずれかのご経験をお持ちの方
・パワー半導体に関する知識をお持ちの方
・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40 - 17:40（コアタイム：10:10 - 15:25）
- 年収・給与
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550万円～1430万円(経験能力考慮の上優遇)
モデル年収 35歳 800万円
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など
- 休日休暇
- 年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
