募集要項
- 仕事内容
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パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発を担当していただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発、設備設計及び工程設計
・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化
- 応募資格
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- 必須
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・半導体ウェハの製品設計、評価経験（目安：3年以上）
・無機材料プロセス開発、工程設計経験（目安：3年以上）
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験（目安：3年以上）
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験（目安：3年以上）
・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計（目安：3年以上）
・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識
- 歓迎
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・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
・パワー半導体材料、単結晶に関する知識
・技術開発における推進リーダ経験
・海外企業との折衝経験
・英語力（TOEIC610点以上目安、海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル）
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 下限なし ～ 50歳 （長期勤続によりキャリア形成を図るため）
- 雇用形態
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正社員
※3か月の使用期間あり
- ポジション・役割
- パワー半導体単結晶のプロセス・製品・設備設計
- 勤務地
- 愛知県 / 三重県
- 勤務時間
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9:00～18:00 休憩時間：60分
※フレックスタイム制
- 年収・給与
- 650万円 ～ 1400万円
- 待遇・福利厚生
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・社会保険各種（雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険）
・教育制度・資格補助補足
・育児支援制度
など
- 休日休暇
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・週休完全2日制、GW・夏季・年末年始各10日程
・年間休日120日以上
・年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など
