募集要項
- 募集背景
- コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
- 仕事内容
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これまでのご経験を生かして活躍しませんか。車載向けの高耐圧、大電流かつ高品質なGaNデバイスを一緒に開発、挑戦してもらえる仲間を募集しています。
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
【業務】
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務をご担当頂きます。
【詳細】
■車載用GaN-HEMTの製品企画／仕様検討
・技術ニーズ調査
・技術動向調査
・目標仕様調整および設計
■車載用GaN-HEMTデバイス設計
・デバイスシミュレーション
・構造検討およびレイアウト設計
・素子試作評価、分析解析
・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック
【やりがい、成長感】
・パワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。
・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ、システム開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。
・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。
〈参照〉https://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/
【組織ミッション】
パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1.第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi、SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。
【環境】
■キャリア入社比率：約30％
パワーデバイス技術部には、民生半導体メーカーや産業機器メーカーからの入社者も多く在籍しています。半導体技術との親和性が高いのはもちろんのこと、非自動車分野の考え方や業務プロセスを取り入れていく必要...
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
■半導体素子の設計および開発経験または構造、動作原理、特性、評価技術に関する知識をお持ちの方
※パワー半導体の経験有無は問いません
- 歓迎
- 応募資格をご覧ください。
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧ください。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40～17:40
- 年収・給与
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550万円～1430万円
■年収についての補足
年収例（時間外除く）：20代後半640万円／35歳850万円／40歳管理職1250万円
- 待遇・福利厚生
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■諸手当
◎通勤手当 ◎家族手当 ◎残業手当 ◎役職手当 ◎資格手当 ■その他…海外トレーニー制度/海外大学院留学制度/育成ローテーション制度/社内公募制度/FAローテーション制度/階層別教育/スキルアップ研修/ハイタレント研修/キャリアデザイン制度/よりそいトーク
■各種保険
■健康保険 ■厚生年金 ■雇用保険 ■労災保険
- 休日休暇
- ◎完全週休2日制（土曜・日曜） ◎GW・夏期・年末年始 ◎有給休暇（最高20日/1年） ◎特別休暇 ◎慶弔休暇 ◎産前・産後休暇 ◎子の看護休暇（子1人：年5日 子2人以上：年10日） ◎介護休暇
- 選考プロセス
- ■面接回数2■試験内容※カジュアル面談相談可 ▼Web試験 ▼1次面接：人事担当 + 部門担当 ▼2次面接：役員面接 ※Web面接完結（1回から2回）
