募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【パソナキャリア経由での入社実績あり】■Cu Dual Damascene構造に対応したエッチングプロセスの開発・最適化
■プラズマエッチング装置の選定・条件設定・評価（ハードマスク、低k材料対応含む）
■微細パターン形成における選択性・異方性・ダメージ制御技術の検討
■製造工程との連携によるプロセスインテグレーション支援
■装置メーカーとの技術折衝・共同開発
■プロセス安定性・再現性の評価および改善提案
【期待する役割】
■Rapidusの先端パッケージング技術開発において、TSV（Through-Silicon Via）形成を中心としたRIE（反応性イオンエッチング）プロセスの開発・最適化を担当いただきます。
■装置評価からプロセス設計、量産立ち上げ支援まで、技術の中核を担うポジションです。
【魅力】
■国内最大級の開発に携わり、日本を背負う産業に関わるチャンスです。
■ゆくゆく上場を目指しているため大型上場に関わることもできる予定です。
【定年】65 歳
※65 歳以降有期契約による継続雇用有
【Rapidus社とは】
元東京エレクトロン会長の東様が発起人となり、キオクシア、ソニー、ソフトバンク、デンソー、トヨタ自動車、NEC、NTT、三菱UFJ銀行が出資し、海外では2nm技術を有する米IBMおよびEUV露光装置技術を持つベルギーimecとの協力体制構築、国内では技術研究組合最先端半導体技術センター（LSTC）との連携によりサムスン社やTSMC社でも成しえていないbeyond 2nmを掛け声に同社は設立されました。
この度2027年に次世代半導体生産を目指し、キャリア採用を加速させております。
- 応募資格
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- 必須
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・半導体業界におけるエッチングプロセス開発経験
・Cu Dual Damascene構造に関するプロセス開発・量産立ち上げ経験
・プラズマエッチング装置の操作・条件設定・評価経験
・日本語：ビジネスレベル、英語：読み書き可能なレベル
- 歓迎
- 応募資格をご覧下さい
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 北海道
- 勤務時間
- 09:00～17:30
- 年収・給与
- 600万円～900万円
- 休日休暇
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完全週休二日（土日） 創立記念日（8月10日）、年末年始（12/29～1/3）
年次有給休暇（初年度６日～10日、勤続年数に応じて最大20日）
慶弔休暇、産前・産後休暇、育児休暇、介護休暇
