募集要項
- 仕事内容
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＜2024029＞
■職務内容：
半導体レーザや半導体光増幅器などの半導体光デバイスの開発を行います。
半導体レーザはInPなどの化合物半導体を用い、作製方法(ウェハプロセス)と設計が非常に密接な関係があります。
また市場やお客様の要望を受けてどのような特性を狙った設計にするかを選択することも非常に重要です。
このため、半導体レーザの開発においては素子チップの設計、ウェハプロセス、評価等の幅広い技術に加えて顧客との仕様調整などもも含む幅広い範囲を開発担当が直接把握することになります。
若手社員が多い職場ですので、ご自身もプレイヤーとして技術課題に直接取り組みつつ、周囲の若手社員のリーダとして開発計画を主導する役割を担っていただきます。
■配属先で働く魅力・やりがい
新しい製品を設計から始めて製品化まで担当することができます。また、幅広い技術領域を直接自分で担当することができ、製品の全体を把握しながら開発に携わることができます。
■将来的なキャリアパスの可能性
製品開発を通じて技術者として経験を積んだうえで、ご自身が開発した製品の事業化などに関わるキャリアパスがあります。
他にもご自身の希望や適性に応じて、顧客対応の窓口(技術営業)、基礎研究、生産工場における技術スタッフなどの幅広いキャリアの選択肢があります。
- 応募資格
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- 必須
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■必須条件：
半導体の設計もしくは製造の技術。
※例として半導体の電気特性の設計、光導波路の光学設計、半導体の特性評価、フォトマスク図面の作成、半導体ウェハプロセス(要素技術、プロセスインテグレーション)などのいずれか。
■歓迎条件：
半導体レーザなど光半導体の設計もしくは製造の技術。
※光導波路の光学設計、半導体レーザの設計、化合物半導体のウェハプロセス、結晶成長を含むウェハプロセス、半導体レーザの特性評価など。
※これらの経験が無かったとしても、ご自身にとって新しい技術領域に積極的にチャレンジしたいという意欲がある方は歓迎します。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 千葉県
- 年収・給与
- 450～900万円
