募集要項
- 仕事内容
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同社にて、パワー半導体SiCに関わる生産技術開発を担当いただきます。
【具体的には】
・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析
・SiCに関わる生産技術の開発・実験・評価・工程設計
・SiCに関わる設備の設置・生産準備
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方
・Si結晶に関する知見をお持ちの方
・半導体業界（ウエハメーカー、デバイスメーカー）にてウエハプロセスのご経験をお持ちの方
・半導体前工程に関する生産技術もしくは設備開発の経験5年以上
・半導体に関わる新製品開発プロジェクト推進のマネジメント経験
【歓迎要件】
・SiCに関する経験・知識
・半導体製造プロセス全般に関する経験・知識
・半導体ウエハ・素子の検査技術に関する知識
・語学力（英語）：・海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40 - 17:40（コアタイム：10:10 - 15:25）
- 年収・給与
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500万円～1250万円(経験能力考慮の上優遇)
モデル年収 35歳 800万円
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など
【待遇・福利厚生】
選択型福利厚生制度（カフェテリアプラン）、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など
施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など
- 休日休暇
- 年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇
