募集要項
- 仕事内容
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■SiC単結晶基板の「単結晶成長工程」に関わる製造技術開発の担当者として、以下業務をご担当いただきます。
【具体的には】
・SiC結晶成長技術開発：結晶成長の設計、成長条件の検討、新規導入設備の立ち上げ
・原材料の検討：部材の設計、原材料の選定、部材・原材料の調達
※担当業務については着任後にこれまでのご経験・ご志向を鑑み、相談のうえで決定します。
※入社後は周囲のサポートをもらいながら業務をキャッチアップいただき、徐々に担当範囲を広げていくようなイメージです。
【やりがい・魅力点】
・省エネルギー社会に求められる高効率パワーデバイスに使用されるSiC製品に関わることで、社会問題の解決の一部に直接貢献できる魅力的な事業です。
・同社が注力する半導体材料であるSiCは、高効率パワーデバイスの需要拡大に伴う高い市場成長率が見込まれており、大幅な成長局面における業務経験ができます。
- 応募資格
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- 必須
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＜必須要件＞
下記いずれかの経験をお持ちの方
・結晶成長もしくは半導体に関するプロセス設計・開発や技術開発の経験
・半導体ドライプロセス経験をお持ちの方
L結晶成長工程では、SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながらインゴットを生成していくため。
・半導体業界に在籍されており、加工装置（エッチング装置等）を扱った経験をお持ちの方
＜歓迎要件＞
・学会での発表経験もしくは特許出願経験
・単結晶成長の知識や経験
・半導体に関わる知識や経験
・加熱装置に関する知識や経験
・科学論文の読解能力（英語含む)
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 千葉県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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500万円～900万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、資格手当、家族手当、営業手当、地域手当、
【待遇・福利厚生】
寮・社宅、財形貯蓄、資格取得、社員持株、保養所
- 休日休暇
- 年間123日／（内訳）完全週休2日制 、祝日、年末年始、その他一斉年休行使日5日有年次有給休暇、サポート休暇、特別休暇、産前産後休業、配偶者出産休暇、結婚休暇、忌慰休暇、公用休暇、罹災休暇、転勤休暇、リフレッシュ休暇、介護休暇、子の看護休暇、不妊治療休暇、母性健康管理休暇、アディショナル休暇、公傷休
