募集要項
- 募集背景
- 増員
- 仕事内容
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【パソナキャリア経由での入社実績あり】■トランジスタ特性向上のための構造およびプロセスの提案と、その実行をプロセス部門と進める。
■実験水準提案、デバイス特性を測定解析、その結果をプロセス開発にフィードバックして改善を進める。
■各種デバイスパラメター取得し、設計環境部門協力してFEOL設計環境の構築を行う。
※対象とするデバイスはCMOSトランジスタの他に、アナログデバイス（受動素子やESDデバイス含む）やSRAMも含みます。
※海外短期出張可能性あり
【期待する役割】
2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。
【配属部署】
デバイス技術部
【配属先】
勤務地については担当業務ならびにご希望に応じて決定いたします
【定年】65 歳
※65 歳以降有期契約による継続雇用有
【同社とは】
某社元会長が発起人となり、複数企業が出資し、海外では2nm技術を有する米IBMおよびEUV露光装置技術を持つベルギーimecとの協力体制構築、国内では技術研究組合最先端半導体技術センター（LSTC）との連携によりサムスン社やTSMC社でも成しえていないbeyond 2nmを掛け声に同社は設立されました。
この度2027年に次世代半導体生産を目指し、キャリア採用を加速させております。
- 応募資格
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- 必須
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■トランジスタ開発について２年以上の経験を有する方。または、大学で研究経験のある方。
【歓迎要件】
・プロセス開発の経験
・TEG設計の経験
・TEG測定評価・解析の経験
・デバイスパラパラメータ抽出の経験
・デザインルール設定の経験
・プロセス部門、設計環境部門と連携して業務を行った経験
・TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
- 歓迎
- 応募資格をご覧下さい
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧下さい
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 北海道
- 勤務時間
- 09:00～17:30
- 年収・給与
- 600万円～1000万円
- 休日休暇
- 完全週休二日（土日） 創立記念日（8月10日）、年次有給休暇（初年度６日～10日、勤続年数に応じて最大20日）
