設計・開発エンジニア（電気）
SiC/IGBT Power Device Process Integration Expert
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間12月12日～12月25日）
※ 掲載時の募集要項はページ下部よりご確認いただけます。
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掲載時の募集要項（掲載期間：2024/12/12 ～ 2024/12/25）
設計・開発エンジニア（電気）
SiC/IGBT Power Device Process Integration Expert
華為技術日本株式会社
外資系企業
マネジメント業務なし
英語力が必要
転勤なし
土日祝休み
募集要項
募集背景
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非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
仕事内容
-
華為技術日本株式会社での募集です。
電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓迎です。
・SiC/IGBTパワー半導体プロセスインテグレーション構築を担当していただきます。
・部分工程であるプロセスモジュールインテグレーションの構築を進めていただきます。
・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発にプロセスインテグレーターとして貢献していただきます。
・最新のパワー半導体製造プロセスを調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。
・プロセス設備導入に際して、設備選定等に助言をいただきます。
・革新的で競争力のあるプロセスプラットフォームを構築していただきます。
応募資格
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- 必須
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・おおよそ20年以上の半導体またはそのプロセス技術の研究・開発・製造における経験を持ち、SiC/IGBTプロセスインテグレーション開発業務に精通している。
・プロセスシミュレータに精通し、高性能SiC/IGBTパワー半導体プロセス開発を推進できる。
・半導体新工場の建設、設備選定、導入などのプロセスに精通している。
・半導体プロセス技術開発、プロセス設備開発、プロセス設備選定、開発ラインまたは生産ライン立ち上げ経験などの経験を持つ。
・生産現場における技術的ボトルネック改善や良品率向上などの課題解決の経験を持つ。
・最新のSiC/IGBTパワー半導体プロセス技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。
・優れた学習能力、問題解決能力、コミュニケーション能力、職業倫理及びチームワーク精神を持っていること。
・海外出張に対応可能であること。基本的な英語のコミュニケーション能力とリーディング、ライティングスキルを有すること。
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
雇用形態
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無期雇用
ポジション・役割
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エキスパート職
勤務地
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大阪府
勤務時間
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【就業時間】09:00 ～ 18:00
【労働時間制等】固定（定額）残業代制
年収・給与
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【年収】1000万円 - 2000万円
【固定残業時間・残業代】月45時間 85,000円
待遇・福利厚生
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【通勤手当】全額支給
【社会保険】健康保険
厚生年金
雇用保険
労災保険
休日休暇
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【有給休暇】有給休暇は入社後4ヶ月目から付与されます
初年度 14日 4か月目から
【休日】完全週休二日制
土
日
夏季休暇
年末年始
※有給休暇につき、 試用期間終了後付与
（土・日・祝祭日・年末年始）
キャリアパス・評価制度
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【昇給】年1回 (月)
会社概要
社名
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華為技術日本株式会社
事業内容・会社の特長
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◆通信事業者向けネットワーク事業
◆法人向けICTソリューション事業
◆コンシューマー向け端末事業
設立
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2005年11月
資本金
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4564(百万)円
従業員数
-
977名
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