募集要項
- 募集背景
- コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
- 仕事内容
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これまでのご経験を生かして活躍しませんか。■MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発をお任せします
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務
（プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価）
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
・Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務の５年以上のご経験
・担当テーマに対し情熱を持って取り組むことができる人
【歓迎】
・パワー半導体に関する知識
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG（マスク）設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得経験
- 歓迎
- 応募資格をご覧ください。
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧ください。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 埼玉県
- 勤務時間
- 08:20～16:55
- 年収・給与
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500万円～1000万円
■年収についての補足
職務内容・経験・現在の給与を十分に考慮した上で決定します。昇給年1回。賞与年2回。
- 待遇・福利厚生
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■諸手当
通勤手当 借上げ社宅 家族手当 残業手当 社内財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、介護休業制度、保養所、診療所など
■各種保険
健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険
- 休日休暇
- 年末年始 夏期休暇 有給休暇 完全週休2日制 年次有給休暇（半日利用可能)、育児休暇、妊娠通院休暇等
- 選考プロセス
- ■面接回数2■試験内容WEB面接完結（２回）
