募集要項
- 仕事内容
- ■同社にて、下記業務を担当していただきます。
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】※下記いずれも必須
・電気・電子工学、半導体デバイスの専門知識をお持ちの方
・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiC／IGBTパワーデバイス研究開発／プロセスインテグレーション構築経験を持ち、これらの半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に精通している方
・パワーデバイス信頼性評価技術に精通し、高信頼なパワー半導体製品開発ができる方
・EDAソフトウェアツールに精通し、パワーデバイス設計が行える方
・英語でのコミュニケーションスキルをお持ちの方
・海外出張に対応可能な方
【歓迎要件】
他企業及び大学・公的機関などとの共同開発経験をお持ちの方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 大阪府、神奈川県
- 勤務時間
- 09:00 - 18:00（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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600万円～1500万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、時間外手当
【待遇・福利厚生】
健保組合の福利厚生施設が利用可能。語学研修、語学研修補助金、文化体験（月餅、ちまき、水餃子作りなど）
- 休日休暇
- 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、夏季休暇、年末年始、有給休暇、慶事休暇、育児休暇、介護休暇
