募集要項
- 仕事内容
-
■半導体ウエハプロセス開発者業務として、適正に応じて以下4つの業務いずれかをご担当いただきます。
【具体的には】
・GaN HEMTのウエハプロセス開発
・多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
・放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）
・受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須要件】
■TOEIC 550点以上、または同等の英会話能力をお持ちの方で、以下いずれかのご経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定／導入／立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器（GHzオーダ）のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山梨県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
-
500万円～1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
家族手当、家賃補助手当、通勤交通費、独身寮、社宅等
- 休日休暇
- 年間120日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇、積立休暇(最高50日まで有給休暇を積立可能)、5日連続有給休暇、計画有休制度(年5日)、半日有給休暇、時間単位有給休暇、有給休暇：初年度は入社月による（2年目以降20日）
