募集要項
- 仕事内容
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■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。
【具体的には】
■ウェハプロセス開発／インテグレーション
例：構想検討～量産技術確立
■デバイス構造設計／インテグレーション
■他部門との連携
例：設計部、生産技術部、品質保証部など
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】下記いずれも必須
■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上）
分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど）
■ビジネスレベルの英語力
例：顧客とのオンライン会議、メール対応など
【歓迎要件】
■パワーデバイス（IGBT、パワーMOS（Si，SiC）開発経験
■半導体物理、半導体材料物性、半導体要素プロセスに関するご知見・ご経験
■ウェハプロセス試作のご経験
■TCADシミュレーションスキル
■TEGレイアウトスキル
■デバイス電気特性評価スキル
■海外との共同プロジェクト経験
■パワーエレクトロニクス全般の基礎知識
- 雇用形態
- 正社員
- ポジション・役割
- 担当～課長クラス
- 勤務地
- 茨城県
- 勤務時間
- 09:00 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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500万円～1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、家賃補助（賃貸、32歳まで支給対象（条件あり））、時間外勤務手当
【待遇・福利厚生】
財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度
- 休日休暇
- 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇
