募集要項
- 仕事内容
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■SiCパワーデバイス・プロセス開発、マネジメント業務をご担当いただきます。
【具体的には】
■構想検討~量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
■関連企業との協業および交渉
■デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
■要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など、多部門との連携、交渉
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】以下いずれか必須
■パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上
■SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
■150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上
【歓迎要件】
■TCADを使用した経験、知見
■IGBT、SiCモジュール実装に関する知見
■インバータシステムに関するご知見
- 雇用形態
- 正社員
- ポジション・役割
- 担当~課長クラス
- 勤務地
- 群馬県
- 勤務時間
- 09:00 - 17:30(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 年収・給与
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500万円~1300万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、家賃補助(賃貸、32歳まで支給対象(条件あり))、時間外勤務手当
【待遇・福利厚生】
財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度
- 休日休暇
- 年間125日/(内訳)完全週休2日制(土日)、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇