募集要項
- 仕事内容
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電力半導体市場でTOPシェアを持ち、先進技術を提供する企業でのプロセスエンジニアポジションです。■Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務
デバイス、回路、実装技術を併せ持つ強みを活かし、お客様とも共同で開発テーマに取り組んでいただきます。
・プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価など
- 応募資格
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- 必須
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・半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験
- 歓迎
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・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG（マスク）設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得
- 募集年齢(年齢制限理由)
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下限なし ～ 50歳
（長期勤続によりキャリア形成を図るため）
- 雇用形態
- Full Time / 正社員
- ポジション・役割
- MOSFET プロセスエンジニア
- 勤務地
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埼玉県
※在宅勤務可
- 勤務時間
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※フレックスタイム制
コアタイム：10:30～14:30
フレキシブルタイム：5:00～10:30、14:30～22:00
- 年収・給与
- 600万円 ～ 1000万円
- 待遇・福利厚生
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・社会保険各種（雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険）
など
- 休日休暇
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・完全週休2日制（休日は土日祝日）
・年間有給休暇16日～24日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
・年間休日日数129日
※メーデー、GW、夏季休暇、年末年始休暇（6日）、慶弔休暇、創立記念日、有給休暇（6月に1年分付与）、妊娠通院休暇、リフレッシュ休暇、看護休暇 等
